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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
49
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
27
读取速度,GB/s
10.2
18.1
写入速度,GB/s
8.1
15.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3733
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
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