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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
10.2
18.0
写入速度,GB/s
8.1
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3490
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
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