RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB

总分
star star star star star
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

总分
star star star star star
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB

Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB 需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 49
    左右 -63% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.4 left arrow 10.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.5 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    10.2 left arrow 17.4
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 14.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2465 left arrow 3579

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM的比较

Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB

Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
内存RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
内存RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
内存RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
内存RAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
内存RAM
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
内存RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
内存RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
内存RAM