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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB

总分
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

总分
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Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 49
    左右 -69% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.4 left arrow 10.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.5 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    10.2 left arrow 17.4
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 13.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2465 left arrow 3413

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM的比较

Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB RAM的比较

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最新比较

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Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
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内存RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
内存RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
内存RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
内存RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
内存RAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
内存RAM
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
内存RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
内存RAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
内存RAM