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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
36
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
35
读取速度,GB/s
14.8
15.5
写入速度,GB/s
8.7
11.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2848
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
INTENSO M418039 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
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