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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
INTENSO M418039 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs INTENSO M418039 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
总分
INTENSO M418039 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO M418039 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
39
左右 -95% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
14.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
INTENSO M418039 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
20
读取速度,GB/s
14.7
16.0
写入速度,GB/s
9.2
7.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
2414
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAM的比较
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
INTENSO M418039 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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