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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
49
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
37
读取速度,GB/s
10.2
15.1
写入速度,GB/s
8.1
11.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2804
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
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