RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
49
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
2804
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link