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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
49
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
25
读取速度,GB/s
10.2
15.2
写入速度,GB/s
8.1
12.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2740
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K821PJ-MIB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
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