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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
49
左右 -123% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
22
读取速度,GB/s
10.2
16.5
写入速度,GB/s
8.1
13.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3665
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
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