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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
49
左右 -188% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.1
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
17
读取速度,GB/s
10.2
22.1
写入速度,GB/s
8.1
18.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3847
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
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