RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
49
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.1
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
17
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
22.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
18.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3847
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link