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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
10.2
16.7
写入速度,GB/s
8.1
13.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3254
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
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