RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
49
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
30
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
3254
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link