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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Kingston 9905598-044.A00G 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
49
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
25
读取速度,GB/s
10.2
15.7
写入速度,GB/s
8.1
8.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2609
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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