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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
44
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
26
读取速度,GB/s
11.2
19.5
写入速度,GB/s
8.1
17.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
4024
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
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