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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
41
49
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
41
读取速度,GB/s
10.2
15.4
写入速度,GB/s
8.1
10.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2993
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
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Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
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