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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
53
左右 8% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.4
10.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
53
读取速度,GB/s
10.2
10.4
写入速度,GB/s
8.1
7.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2333
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM的比较
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Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
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