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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
比较
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
总分
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
总分
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
42
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
32
读取速度,GB/s
12.2
16.8
写入速度,GB/s
7.2
14.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2063
3625
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
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