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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
49
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
34
读取速度,GB/s
10.2
16.7
写入速度,GB/s
8.1
10.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2789
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
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