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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
49
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
34
读取速度,GB/s
10.2
14.1
写入速度,GB/s
8.1
9.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2562
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
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