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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
57
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.1
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
57
读取速度,GB/s
10.2
20.1
写入速度,GB/s
8.1
9.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2328
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM的比较
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V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
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