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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.8
18.9
写入速度,GB/s
8.4
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3504
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
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