RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3504
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link