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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
60
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
60
读取速度,GB/s
9.8
16.6
写入速度,GB/s
8.0
15.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
2813
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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