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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
52
左右 -126% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
23
读取速度,GB/s
9.8
16.8
写入速度,GB/s
8.0
12.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
2795
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
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Kingston 9905622-025.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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