RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
52
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
2795
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link