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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
52
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
31
读取速度,GB/s
9.8
17.2
写入速度,GB/s
8.0
15.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3819
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
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