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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
52
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
29
读取速度,GB/s
9.8
18.1
写入速度,GB/s
8.0
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3485
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
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Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
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