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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
52
左右 -148% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
16000
12800
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
21
读取速度,GB/s
9.8
16.1
写入速度,GB/s
8.0
13.5
内存带宽,mbps
12800
16000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-16000, 1.2V, TBD1 V, TBD2 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
2179
3435
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
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SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
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