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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
差异
规格
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
52
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
30
读取速度,GB/s
9.8
15.1
写入速度,GB/s
8.0
9.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
2732
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
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