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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
74
左右 30% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
74
读取速度,GB/s
9.8
14.3
写入速度,GB/s
8.0
7.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
1779
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
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