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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Kingston 9905625-076.A00G 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
52
左右 -117% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
24
读取速度,GB/s
9.8
15.7
写入速度,GB/s
8.0
11.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
2631
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905625-076.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
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