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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Kingston KKRVFX-MIE 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
47
52
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
47
读取速度,GB/s
9.8
15.0
写入速度,GB/s
8.0
10.7
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
2486
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5403-083.A00LF 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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