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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
52
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
29
读取速度,GB/s
9.8
13.4
写入速度,GB/s
8.0
9.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
2312
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
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