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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
52
左右 -189% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
18
读取速度,GB/s
9.8
20.4
写入速度,GB/s
8.0
18.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3529
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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