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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
78
左右 33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.1
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
78
读取速度,GB/s
9.8
13.1
写入速度,GB/s
8.0
6.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
1584
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
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