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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
48
左右 -60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
30
读取速度,GB/s
8.9
19.0
写入速度,GB/s
5.9
15.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3655
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB RAM的比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
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