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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
比较
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
总分
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
56
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
1,925.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
29
读取速度,GB/s
4,315.2
18.0
写入速度,GB/s
1,925.7
14.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
658
3637
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
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