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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
比较
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
总分
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
9.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
54
左右 -54% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
35
读取速度,GB/s
15.7
15.1
写入速度,GB/s
11.6
9.6
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2511
2502
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
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