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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
52
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
40
读取速度,GB/s
9.8
13.8
写入速度,GB/s
8.0
10.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
2340
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
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