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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Teclast TLD416G26A30 16GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Teclast TLD416G26A30 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Teclast TLD416G26A30 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
52
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
36
读取速度,GB/s
9.8
15.9
写入速度,GB/s
8.0
13.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
2719
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Teclast TLD416G26A30 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
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Kingston 9965589-031.D01G 2GB
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Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4A
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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