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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
UMAX Technology 16GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs UMAX Technology 16GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
UMAX Technology 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
69
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
UMAX Technology 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
UMAX Technology 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
69
读取速度,GB/s
9.8
14.5
写入速度,GB/s
8.0
8.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
1926
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
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