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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
55
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.4
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.7
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
55
读取速度,GB/s
8.9
9.4
写入速度,GB/s
5.9
7.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2230
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
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