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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
44
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
32
读取速度,GB/s
11.2
16.9
写入速度,GB/s
8.1
13.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3196
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
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