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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
44
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
23
读取速度,GB/s
11.2
19.4
写入速度,GB/s
8.1
17.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
4181
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
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Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
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Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
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