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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
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更快的读取速度,GB/s
14.6
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
44
读取速度,GB/s
11.2
14.6
写入速度,GB/s
8.1
9.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2386
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
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