RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB

总分
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

总分
star star star star star
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB 需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 44
    左右 -63% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.8 left arrow 11.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.9 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    11.2 left arrow 14.8
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 10.9
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2293 left arrow 2641

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较

EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
内存RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
内存RAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
内存RAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
内存RAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
内存RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
内存RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
内存RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
内存RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
内存RAM
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
内存RAM