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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
69
左右 -116% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.2
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
32
读取速度,GB/s
4,217.2
20.4
写入速度,GB/s
1,857.7
15.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3483
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
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Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
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InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
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Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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