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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
差异
规格
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
44
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
35
读取速度,GB/s
10.9
15.5
写入速度,GB/s
7.5
11.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
2822
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
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